中山大學(xué)理工學(xué)院導(dǎo)師：江灝 正文

　　姓名：江灝　 　性別：男　　職稱：教授　　
　　學(xué)院：理工學(xué)院　 　最后學(xué)歷：博士
　　主要研究方向：寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料與器件

研究重點(diǎn):

1.GaN基(Al,In)GaN半導(dǎo)體材料的MOCVD外延生長(zhǎng)及其特性表征；

2.高性能AlGaN太陽(yáng)盲紫外光探測(cè)器的制作及其性能評(píng)價(jià)；

3.GaN基大功率電子器件的制作及其性能評(píng)價(jià).

每年計(jì)劃招收博士后1-2名，博士研究生2-3名，碩士研究生3-5名。

承擔(dān)課題

中山大學(xué)“百人計(jì)劃”二層次引進(jìn)人才科研啟動(dòng)項(xiàng)目

國(guó)家自然科學(xué)基金 面上項(xiàng)目

國(guó)家“863”計(jì)劃創(chuàng)新研究項(xiàng)目

廣東省重大科技專項(xiàng)

發(fā)表論文

1. S. Senda, H. Jiang, and T. Egawa, “AlInN-based ultraviolet photodiode grown by metal organic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 92, 203507 (2008).

2. H. Jiang and T. Egawa, “Low dark current high performance AlGaN solar-blind p-i-n photodiodes”, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 47, 1541 (2008).

3. H. Jiang and T. Egawa, “High quality AlGaN solar-blind Schottky photodiodes fabricated on AIN/sapphire template”, Appl. Phys. Lett. 90, 121121 (2007).

4. H. Jiang, T. Egawa, and H. Isikawa, “AlGaN solar-blind Schottky photodiodes fabricated on 4H-SiC”, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1353 (2006).

5. H. Jiang and T. Egawa, “Demonstration of large active area AlGaN solar-blind Schottky photodiodes with low dark current”, Electron. Lett. 42, 1120 (2006).

6. Y. Liu, T. Egawa, and H. Jiang, “Enhancement-mode quaternary AlInGaN/GaN HEMT with non-recessed-gate on sapphire substrate”, Electron. Lett. 42, 884 (2006).

7. Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa, “Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes”, J. Appl. Phys. 99, 123702 (2006).

8. H. Jiang, T. Egawa, M. Hao, and Y. Liu, “Reduction of threading dislocations in AlGaN layers grown on AlN/sapphire templates using high-temperature GaN interlayer”, Appl. Phys. Lett. 87, 241911 (2005).
 

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