浙江大學(xué)化學(xué)系研究生導(dǎo)師：劉潤 正文

　　姓名：劉潤
　　單位：化學(xué)系
　　職稱：副教授

　　基本信息
　　個(gè)人簡介
　　教育背景：
　　華東理工大學(xué)化學(xué)系獲學(xué)士學(xué)位（1988-1992）
　　華東理工大學(xué)物理化學(xué)專業(yè)獲碩士學(xué)位（1992-1995）
　　密蘇里-羅拉大學(xué)（University of Missouri-Rolla）化學(xué)系獲博士學(xué)位并作博士后研究工作（1998-2004）

　　工作經(jīng)歷：
　　華東理工大學(xué)助教，講師（1995-1998）
　　2004．11-現(xiàn)在 浙江大學(xué)化學(xué)系物理化學(xué)研究所，副教授，碩導(dǎo)。

　　研究簡介：
　　目前主要從事材料電化學(xué)，半導(dǎo)體光電化學(xué)和功能材料薄膜與器件的研究。已在J. Phys.Chem.B，Chem. Mater.，Appl. Phys. Lett.，Crystal Growth & Design 等期刊上 發(fā)表論文30余篇,論文他引達(dá)550余次，最高單篇引用次數(shù)達(dá)167次。研究工作得到國家973重大科學(xué)研究計(jì)劃，國家自然科學(xué)基金，浙江省自然科學(xué)基金，教育部博士點(diǎn)新教師基金及留學(xué)回國人員基金等資助，在此深表感謝。

　　Selected Papers (* Corresponding Author):
　　1．K. L Chen, R. Liu*,H. Wang, Y. F. Zheng, Z. D. Xu, “Room Temperature Electrodeposition of Oriented AgI Crystals”,J. Electrochem. Soc., 2011,158 (4), D200-D204.
　　2．H. L. Kang, R. Liu*, K. L. Chen, Y. F. Zheng, Z. D. Xu, " Electrodeposition and Optical Properties of Highly Oriented CuI Thin Films",Electrochim.Acta, 2010, 55(27), 8121-8125.
　　3．H. Li, R. Liu*, Honglang, Kang, Y. F. Zheng and Z. D. Xu “Growth and characterization of Highly Oriented Cubr thin Films Through Room Temperature electrochemical route”, Electrochim. Acta, 2008, 54: 242-246
　　4．H. Li, R.Liu*, Y. F. Zheng, W.X. Chen and Z. D. Xu “Morphology Control of Electrodeposited Cu2O Crystals in Aqueous Solution using Room Temperature Hydrophilic Ionic Liquids”Crystal Growth &Design, 2006, 6(12): 2795-2798. (Cited 49 times)
　　5．X. F. Han, R. Liu*,Z. D. Xu, W. X. Chen and Y. F. Zheng, “Room Temperature Deposition of Nanocrystalline Cadmium Peroxide Thin Films by Electrochemical Route”, Electrochem. Commun. 2005, 7 (12), 1195-1198. (Cited 12 times)
　　6．R.Liu, E.A.Bulp, F.Oba, E.W.Bohannan, F.Ernst, J. A. Switzer,“Epitaxial Electrodeposition of High-Aspect-Ratio Cu2O(110) Nanostructures on InP(111)” Chem.Mater. 2005, 17: 725-729 . (Cited 41 times)
　　7．R.Liu,F.Oba, E.W.Bohannan, F.Ernst, J.A.Switzer “Shape Control in Epitaxial Electrodeposition: Cu2O Nanocubes on InP(001)”, Chem. Mater. 2003, 15: 4882-4885 (Cited 76 times)
　　8．R.Liu,F.Oba, E.W.Bohannan, F.Ernst, J.A.Switzer “Epitaxial Electrodeposition of Cu2O Films onto InP(100)”, Appl. Phys. Lett., 2003, 83: 1944-1946. (Cited 31 times)
　　9．J.A.Switzer, R.Liu, E. W. Bohannan, and F. Ernst “Epitaxial Electrodeposition a Crystalline Metal Oxide onto Single-Crystal Silicon”, J. Phys. Chem. B,2002, 106: 12369-12372. (Cited 26 times)
　　10．R. Liu,A. A. Vertegel, E. W. Bohannan, T. A. Sorenson, and J. A. Switzer, “Epitaxial Electrodeposition of Zinc Oxide Nanopillars on Single-Crystal Gold”, Chem Mater. 2001, 13: 508-512. (Cited 167 times)

　　工作研究領(lǐng)域
　　目前主要從事材料電化學(xué)，光電化學(xué)和功能薄膜與器件的研究。電沉積，外延生長，界面和表面光電化學(xué)，電化學(xué)法制備結(jié)構(gòu)可控的半導(dǎo)體薄膜,組裝有序納米結(jié)構(gòu)并將其應(yīng)用于光電器件，太陽能電池及光電催化等方面。

　　聯(lián)系方式
　　電話：0571-87953390；13588100963
　　電子信箱：runliu@zju.edu.cn

　　教學(xué)工作
　　無機(jī)化學(xué)（甲）
　　大學(xué)化學(xué)實(shí)驗(yàn)（G）

　　發(fā)表論文
　　Selected Publications (*corresponding author):
　　1．Wang, H.; Liu, R*.; Liu, LY.; Shi, X.; Xu, Z., Electrodeposition of high aspect ratio LaPO4 and LaPO4:Ln3+ (Ln3+=Ce3+, Tb3+) nanostructures, Electrochemistry Communications ,2012,17, 79-81.
　　2．Chen, K.; Liu, R*; Wang, H.; Zheng, Y.; Xu, Z., Room Temperature Electrodeposition of Oriented AgI Crystals.Journal of the Electrochemical Society2011, 158, (4), D200-D203.
　　3．Wang, H.; Liu, R*.; Chen, K.; Shi, X.; Xu, Z., Electrodeposition and characterization of CaF2 and rare earth doped CaF2 films.Thin Solid Films2011, 519, (19), 6438-6442.
　　4．Kang, H.; Liu, R*; Chen, K.; Zheng, Y.; Xu, Z., Electrodeposition and optical properties of highly oriented gamma-CuI thin films.Electrochimica Acta2010, 55, (27), 8121-8125.
　　5．Shi, X.; Liu, R*.; Xu, Z., Electrodeposition of CeF3 and CeF3:Tb Films by Electrochemical Generated Acid.Electrochemical and Solid State Letters2010, 13, (6), D43-D46.
　　6．Han, X.; Liu, R*.; Xu, Z., Structural and optical properties of rock-salt Cd1-xZnxO thin films prepared by thermal decomposition ofelectrodeposited Cd1-xZnxO2. Thin Solid Films2009, 517, (19), 5653-5657.
　　7．Li, H.; Liu, R*.; Kang, H.; Zheng, Y.; Xu, Z., Growth and characterization of highly oriented CuBr thin films throughroom temperature electrochemical route. Electrochimica Acta2008, 54, (2), 242-246.
　　8．Han, X.; Liu, R*.; Chen, W.; Xu, Z., Properties of nanocrystalline zinc oxide thin films prepared by thermal decomposition of electrodeposited zinc peroxide. Thin Solid Films2008, 516, (12), 4025-4029.
　　9．Li, H.; Liu, R*.; Zhao, R.; Zheng, Y.; Chen, W.; Xu, Z., Morphology control of electrodeposited Cu2O crystals in aqueous solutions using room temperature hydrophilic ionic liquids. Crystal Growth & Design2006, 6, (12), 2795-2798.
　　10．Han, X.; Liu, R*.; Xu, Z.; Chen, W.; Zheng, Y., Room temperature deposition of nanocrystalline cadmium peroxide thin film by electrochemical route. Electrochemistry Communications2005, 7, (12), 1195-1198.
　　11．Oba, F.; Ernst, F.; Yu, Y.; Liu, R.; Kothari, M.; Switzer, J., Epitaxial growth of cuprous oxide electrodeposited onto semiconductor and metal substrates. Journal of the American Ceramic Society2005, 88, (2), 253-270.
　　12．Liu, R.; Kulp, E.; Oba, F.; Bohannan, E.; Ernst, F.; Switzer, J., Epitaxial electrodeposition of high-aspect-ratio Cu2O(110) nanostructures on InP(111). Chemistry of Materials2005, 17, (4), 725-729.
　　13．Liu, R.; Bohannan, E.; Switzer, J.; Oba, F.; Ernst, F., Epitaxial electrodeposition of Cu2O films onto InP(001).Applied Physics Letters2003, 83, (10), 1944-1946.
　　14．Liu, R.; Oba, F.; Bohannan, E.; Ernst, F.; Switzer, J., Shape control in epitaxial electrodeposition: Cu2O nanocubes on InP(001).Chemistry of Materials2003, 15, (26), 4882-4885.
　　15．Switzer, J.; Liu, R.; Bohannan, E.; Ernst, F., Epitaxil electrodeposition of a crystalline metal oxide onto single-crystalline silicon.Journal of Physical Chemistry B2002, 106, (48), 12369-12372.
　　16．Liu, R.; Vertegel, A.; Bohannan, E.; Sorenson, T.; Switzer, J., Epitaxial electrodeposition of zinc oxide nanopillars on single-crystal old. Chemistry of Materials2001, 13, (2), 508-512.

　　專利成果
　　授權(quán)專利：
　　1．劉潤，徐鑄德，王輝，陳科立，采用電沉積制備氟化鈣或稀土摻雜氟化鈣薄膜的方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188743．8
　　2．劉潤，王輝，陳科立，徐鑄德，采用電沉積制備氟化鍶或稀土摻雜氟化鍶薄膜的方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010220120．4
　　3．劉潤，徐鑄德，陳科立，王輝，一種均勻致密碘化亞銅半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188752．7
　　4．劉潤，徐鑄德，陳科立，康紅藍(lán)，一種室溫下合成高溫相碘化亞銅的電化學(xué)制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188755．0
　　5．劉潤，徐鑄德，陳科立，王輝，一種電沉積碘化銀半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188759．9
　　6．薛斌，徐鑄德，劉潤，一種中空二氧化鈦納米球的制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 200910098714．X
　　7．薛斌，徐鑄德，劉潤，一種高比例竹節(jié)狀碳納米管的制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 200910098511．0

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