姓名：張進(jìn)成　性別：男
職稱：教授 學(xué)院：微電子學(xué)院
研究方向：寬禁帶半導(dǎo)體功率器件與電路設(shè)計(jì)

西電寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室副主任，2007年入選教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃。1976年7月出生，陜西省富平人，分別于2001年、2004年在西安電子科技大學(xué)獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士和博士學(xué)位，2009年6月破格晉升為教授。2005年獲陜西省高等學(xué)校優(yōu)秀青年教師和校十佳青年教師稱號(hào)。 先后承擔(dān)和參與了省部級(jí)以上科研項(xiàng)目20余項(xiàng)，其中，作為負(fù)責(zé)人主持國(guó)家級(jí)項(xiàng)目2項(xiàng)、省部級(jí)項(xiàng)目4項(xiàng)。作為主要負(fù)責(zé)人之一，成功研制出我國(guó)具有自主產(chǎn)權(quán)的低缺陷氮化物材料生長(zhǎng)的表面反應(yīng)增強(qiáng)MOCVD設(shè)備和高鋁組份GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)微波材料，性能指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、省部級(jí)科技獎(jiǎng)4項(xiàng)；獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利7項(xiàng)，受理國(guó)家發(fā)明專利7項(xiàng)；發(fā)表論文50余篇，其中SCI收錄30余篇。

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