2021沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)晶體管原理研究生考試大綱

發(fā)布時(shí)間:2020-11-27 編輯:考研派小莉 推薦訪問:
2021沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)晶體管原理研究生考試大綱

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2021沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)晶體管原理研究生考試大綱 正文

碩士研究生入學(xué)考試大綱
 
加試科目名稱:晶體管原理
一、援引教材
   《晶體管原理》國(guó)防工業(yè)出版社 劉永 張福海
二、考試要求:
系統(tǒng)地掌握pn結(jié)、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性和功率特性的物理基礎(chǔ)。
三、考試內(nèi)容:
1)PN結(jié)
a: PN結(jié)的形成和雜質(zhì)分布、平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)和能帶圖
b: 非平衡PN結(jié)、PN結(jié)的直流特性、 PN結(jié)空間電荷區(qū)的電場(chǎng)和電位分布
c: PN結(jié)的勢(shì)壘電容、PN結(jié)小信號(hào)交流特性
d: PN結(jié)的擊穿特性
2)晶體管直流特性
a: 晶體管放大原理、晶體管電流放大系數(shù)
b: 晶體管反向電流和擊穿電壓
c: 晶體管頻率特性 (1)晶體管交流特性理論分析(2)共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)及其截止頻率
d:晶體管功率特性   (1)大注入效應(yīng)(2)基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
3)晶體管開關(guān)時(shí)間
4) MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1)MOSFET的閾值電壓(2)MOSFET的伏安特性(3)短溝道效應(yīng)
 
沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)

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