魯東大學(xué)物理與光電工程學(xué)院導(dǎo)師閆金良

發(fā)布時間:2019-01-04 編輯:考研派小莉 推薦訪問:
魯東大學(xué)物理與光電工程學(xué)院導(dǎo)師閆金良

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魯東大學(xué)物理與光電工程學(xué)院導(dǎo)師閆金良 正文


  閆金良博士,教授,光學(xué)專業(yè)碩士生導(dǎo)師。
  手機(jī):13220935903
  E-mail: 
  教育經(jīng)歷:
  1985.9~1989.6在河北師范大學(xué)物理系物理專業(yè)學(xué)習(xí),獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位;
  1990.9~1993.3在長春光學(xué)精密機(jī)械學(xué)院軍用光學(xué)專業(yè)學(xué)習(xí),獲工學(xué)碩士學(xué)位;
  1995.9~1998.6在北京理工大學(xué)光學(xué)工程專業(yè)學(xué)習(xí),獲工學(xué)博士學(xué)位。
  
  工作經(jīng)歷:
  1989.7~1990.9河北師范大學(xué)物理系從事教學(xué)工作;
  1993.3~1998.11西安應(yīng)用光學(xué)研究所光電成像研究室從事研究工作;
  1998.11~2000.11在西安交通大學(xué)微電子專業(yè)從事博士后研究工作。
  2000.11-2002.8中國南玻集團(tuán)股份有限公司從事管理和技術(shù)研發(fā)工作;
  2002.9~2002.11煙臺大學(xué)光電信息技術(shù)學(xué)院從事教學(xué)科研工作;
  2002.11~至今魯東大學(xué)物理學(xué)院從事教學(xué)科研工作。
  
  目前研究領(lǐng)域:
  •光電薄膜與器件;
  •薄膜太陽能電池;
  •電子薄膜
  
  承擔(dān)研究課題:
  •多層結(jié)構(gòu)Ga203深紫外透明導(dǎo)電膜研究(10974077);基金來源:國家自然科學(xué)基金面上項目;資助金額:34萬。起止年限:2010.01-2012.12。
  •P型氧化鎵深紫外透明導(dǎo)電膜研究(2009ZRB01702);基金來源:山東省自然科學(xué)基金面上項目;資助金額:5萬;起止年限:2010.01-2012.12。
  •高透明高隔熱節(jié)能玻璃貼膜(J10LA08);基金來源:山東省高等學(xué)??萍加媱濏椖浚毁Y助金額:5.5萬;起止年限:2011.01-2013.12。
  
  主講課程
  •本科生課程:《薄膜物理與技術(shù)》、《電磁場與電磁波》、《電動力學(xué)》
  
  代表性成果
  近年來在《MaterialsScienceandEngineeringB》、《PhysicaB》、《ScienceinChinaSeriesG》、《JournalofSemiconductors》等國內(nèi)外刊物發(fā)表論文79篇,被SCI、EI和ISTP收錄63篇;第一發(fā)明人授權(quán)中國發(fā)明專利4項;2005年以來第一完成人獲得山東高校優(yōu)秀科研成果獎二等獎1項和三等獎2項,鑒定科技成果1項。部分研究成果在企業(yè)生產(chǎn)中得到應(yīng)用,產(chǎn)生良好經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。已畢業(yè)研究生9人,在校研究生6人。
  代表性論文:
  1.OpticalandstructuralpropertiesofCu-dopedβ-Ga2O3films,MaterialsScienceandEngineeringB,2011,176:846
  2.ElectricalandopticalpropertiesofdeepultraviolettransparentconductiveGa2O3/ITOfilmsbymagnetronsputtering.JournalofSemiconductors,2010,31(10):103001-5
  3.StructuralandopticalpropertiesofN-dopedβ-Ga2O3filmsdepositedbyRFmagnetronsputtering.PhysicaB,2011,406(15-16):3079
  4.ElectronicstructureandopticalpropertiesofSn2xGa2(1-x)O3compounds,ScienceinChinaSeriesG:Physics,MechanicsandAstronomy,2011,54(3):459
  5.First-principlesstudyonelectronicstructureandopticalpropertiesofSn-dopedβ-Ga2O3.PhysicaB,2010,405(18):3899
  6.Si摻雜β-Ga2O3的第一性原理計算與實(shí)驗研究,物理學(xué)報,2011,60(3):037103-1
  授權(quán)專利:
  1.一種直流磁控共濺射法制備ZnO:Al透明導(dǎo)電薄膜的方法,中國發(fā)明專利,專利號ZL200610069500.6
  2.一種柔性復(fù)合透明導(dǎo)電膜及其制備方法,中國發(fā)明專利,專利號ZL200610070509.9
  3.一種氟摻雜氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法,中國發(fā)明專利,專利號ZL200910017946.8
  4.深紫外非晶透明導(dǎo)電膜及其制備方法,中國發(fā)明專利,專利號ZL200910018427.3
  科研獲獎:
  多孔氧化鋁模板及其組裝體系的光學(xué)特性,山東高等學(xué)校優(yōu)秀科研成果獎二等獎
  鑒定成果:
  氧化鋅寬帶隙納米點(diǎn)光電功能薄膜材料,魯教科鑒字[2008]第014號


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