姓 名： 孫偉鋒
性 別： 男
民 族： 漢
出生年月： 1977年5月
學 歷： 博士
職 稱： 副教授
工作部門： PowerIC研發(fā)部
職 務： PowerIC研發(fā)部負責人
聯(lián)系地址： 南京東南大學國家ASIC工程中心
郵政編碼： 210096
聯(lián)系電話： 84502190
電子郵箱： swffrog@seu.edu.cn

個人經(jīng)歷：
近5年來，先后參加國家"863"項目3項，參加江蘇省及南京市項目4項；先后主持項目4項；在IEEE TransElectron Devices等國內(nèi)外權威雜志上發(fā)表論文30余篇，其中被SCI收錄8篇，EI收錄20余篇；申請國家專利33項，其中16項獲得了授權；碩士論文被評為2003年江蘇省優(yōu)秀碩士論文，現(xiàn)為IET Circuits, Devices & Systems期刊的審稿人。主要研究方向：功率器件、功率集成電路及低溫集成電路設計，集成電路的可靠性研究。

主要參加及主持的項目(8項)：
[1]江蘇省十五科技攻關項目——《PDP驅(qū)動電路及系統(tǒng)》，研究經(jīng)費70萬元；
[2]國家”863”項目——《智能功率集成技術研究》，研究經(jīng)費70萬元；
[3]國家”863”項目——《高壓驅(qū)動電路模塊》，研究經(jīng)費150萬元；
[4]國家”863”項目——《高壓驅(qū)動電路模塊》滾動，研究經(jīng)費700萬元；
[5]總裝項目，研究經(jīng)費70萬元；
[6]無錫華潤上華的合作項目，研究經(jīng)費50萬元，已經(jīng)到款20萬元；
[7]11所合作項目，研究經(jīng)費25萬元，已經(jīng)到款20萬元；
[8]44所合作項目，研究經(jīng)費70萬元；
科研項目： 功率器件、功率集成電路及低溫集成電路設計，集成電路的可靠性研究等。

主要發(fā)表的論文（16篇）：
[1]Weifeng Sun, Hong Wu, Longxing Shi, Yangbo Yi, Haisong Li, “On-resistance degradations for different stress conditions in high voltage pLEDMOS transistor with thick gate oxide”, IEEE Electron Devices Letter2007, 28,(7):631-633 (SCI，EI收錄)
[2]Weifeng Sun, Longxing Shi, Zhilin Sun, Yangbo Yi, Haisong Li, Shengli Lu, “High-voltage power IC technology with nVDMOS, RESURF pLDMOS, and novel level-shift circuit for PDP scan-driver”, IEEE Transon Electron Devices.2006 (4):891-896 (SCI，EI收錄)
[3]Weifeng Sun, Jianhui Wu, Yangbo Yi, Lu shengli, Longxing Shi, “High-Voltage Power Integrated Circuit Technology Using Bulk-Silicon for Plasma Display Panels Data Driver IC”，Microelectronic Engineering2004 (71) :112-118 (SCI，EI收錄，被引用3次)
[4]Weifeng Sun, Longxing Shi“Analytical models for the surface potential and electrical field distribution of bulk-silicon RESURF devices”Solid-State Electronics2004(48):799-805(SCI，EI收錄，被引用2次)
[5]Weifeng Sun, Longxing Shi“Improving the Yield and Reliability of the Bulk-Silicon HV-CMOS by Adding a P-well”Microelectronic Reliability2005(45)：185-190 (SCI，EI收錄，被引用1次)
[6]Weifeng Sun, Yangbo Yi, Shengli Lu, Longxing Shi, “Analytical Model for the PiecewiseLinearly Graded Doping Drift Region of LDMOS”, Chinese Journal of Semiconductor, 2006, 27(6):976-981 (EI收錄)
[7]Weifeng Sun, Zhilin Sun, Yangbo Yi, Shengli Lu, Longxing Shi, “Gate Breakdown of High Voltage P-LDMOS and Improved Methods”, Journal of Southeast University, 2006(1): 35-38 (EI收錄)
[8]Weifeng Sun, Yangbo Yi, Shengli Lu, Longxing Shi“Analysis on the Surface Electrical Field of High Voltage Bulk-Silicon LEDMOS with Multiple Field Plats”ICSICT , Beijing, 2004:353-356 （ISTP, EI收錄）
[9]Weifeng Sun, Yangbo Yi, Jianhui Wu, Longxing Shi, “ Design on Data Driver IC for Plasma Display Panel”，ASID’04, Nanjing, 2004: 447-450
[10]Weifeng Sun, Longxing Shi, “High Reliability HV-CMOS Transistors in Standard CMOS Technology”, IEEE IPFA, Singapore, 2003：25-29 （ISTP收錄）
[11]Zhilin Sun, Weifeng Sun (Corresponding author) and Longxing Shi, “A review of safe operation area”, Microelectronics Journal, 2006(37): 661-667 (SCI，EI收錄).
[12]Zhilin Sun, Weifeng Sun (Corresponding author), Yangbo Yi and Longxing Shi, “Study of the power capability of LDMOS and the improved methods”, Microelectronics and Reliability, 2006(46) :1001-1005 (SCI，EI收錄).
[13]Zhilin Sun, Weifeng Sun and Longxing Shi, “Modeling Kirk effect of RESURF LDMOS”, Solid-State Electronics, Volume 49, Issue 12, December 2005:1896-1899 (SCI，EI收錄).
[14]Zhilin Sun, Weifeng Sun, Yangbo Yi, Chang Chen, Weilian Yao, Zhenxiong Peng, Longxing Shi, “PDP scan driver with NVDMOS and RESURF PLDMOS”, Power Semiconductor Devices and ICs, 2005ProceedingsISPSD '05The 17th International Symposium on 23-26 May 2005 Page(s):151－154(ISTP，EI收錄).
[15]孫偉鋒，易揚波，陸生禮，“多場板高壓體硅LEDMOS表面電場和導通電阻率的研究”，固體電子學研究與進展，2006(26):157-161 (EI收錄)
[16]孫偉鋒, 易揚波, 吳烜等, “一種新型凹源HV-NMOS器件研究”, 固體電子學研究與進展,2004,24(3):286-290（EI收錄）

專利及獎相等

授權的專利（16項）：
[1]孫偉鋒, 胡晨, 時龍興, “平板顯示的驅(qū)動芯片高壓器件結(jié)構(gòu)及其制備方法”, 發(fā)明專利，專利號：ZL 02112706.9
[2]孫偉鋒, 宋慧濱, 陸生禮, 時龍興, “高壓P型金屬氧化物半導體管”, 發(fā)明專利，專利號：ZL 02138393.6
[3]孫偉鋒, 易揚波, 陸生禮, 時龍興, “高壓N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管”, 發(fā)明專利, 專利號：ZL 02138394.4
[4]孫偉鋒，陸生禮，易揚波，孫智林，時龍興, “橫向P型金屬氧化物半導體管”，發(fā)明專利, 專利號：ZL 03112627.8
[5]孫偉鋒，易揚波，陸生禮，宋慧濱，時龍興, “內(nèi)置保護N型高壓金屬氧化物半導體”， 發(fā)明專利, 專利號：ZL 03112626.X
[6]孫偉鋒，陸生禮，吳建輝，易揚波，宋慧濱，時龍興, “多電位場極板橫向高壓N型金屬氧化物半導體管”，實用新型專利，專利號：ZL 200420062099.X
[7]孫偉鋒，李海松，陸生禮，時龍興，易揚波，“低功耗CMOS型高壓驅(qū)動電路“，實用新型專利，專利號：ZL 200420078208.7
[8]孫偉鋒, 易揚波, 時龍興, “平板顯示的驅(qū)動芯片用高壓器件結(jié)構(gòu)”, 實用新型專利，專利號：ZL 02219093.7
[9]孫偉鋒，陸生禮，茆邦琴，李海松，時龍興， “雙柵高壓N型金屬氧化物半導體管”，發(fā)明專利，專利號：ZL 03158281.8
[10]孫偉鋒，易揚波，孫智林，時龍興，“等離子平板顯示器驅(qū)動芯片用的高壓器件結(jié)構(gòu)及其制備方法”，發(fā)明專利，專利號：ZL 03158280.X
[11]孫偉鋒，李海松，陸生禮，時龍興，易揚波，“低功耗CMOS型高壓驅(qū)動電路“，發(fā)明專利，專利號：ZL 200410011821.6
[12]孫偉鋒，陸生禮，劉昊，時龍興，“雙柵高壓P型金屬氧化物半導體管”，發(fā)明專利，專利號：ZL 03158282.6
[13]孫偉鋒，陸生禮，吳建輝，易揚波，宋慧濱，時龍興, “多電位場極板橫向高壓N型金屬氧化物半導體管”，發(fā)明專利，專利號：ZL 200410041076.5
[14]時龍興，孫偉鋒，易揚波，陸生禮, “內(nèi)置保護P型高壓金屬氧化物半導體”， 發(fā)明專利, 專利號：ZL 03112625.1
[15]吳建輝, 陸生禮, 孫偉鋒, 時龍興, “高壓P型MOS管及其制備方法”, 發(fā)明專利，專利號：ZL 02112705.0
[16]時龍興, 吳建輝, 陸生禮, 孫偉鋒, “高 壓 P 型 MOS 管”, 實用新型專利, 專利號：ZL 02219092.9
申請的專利（16項）：
[1]時龍興， 孫偉鋒，李海松，陸生禮，易揚波，“低功耗CMOS型高壓驅(qū)動電路”，國際發(fā)明專利 ，申請?zhí)枺篜CT/CN2004/001187
[2]孫偉鋒，時龍興，易揚波，陸生禮，桑愛兵，“三維多柵高壓N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管”， 發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00510094030.4
[3]孫偉鋒，時龍興，易揚波，陸生禮，宋慧濱，“三維多柵高壓N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管”， 發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00510094031.9
[4]孫偉鋒 易揚波 夏小娟 徐申 陸生禮 時龍興，“高壓P型金屬氧化物半導體管及其制備方法”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610041322.6
[5]孫偉鋒 易揚波 李海松 陸生禮 時龍興，“高壓N型金屬氧化物半導體管及其制備方法”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610041323.0
[6]孫偉鋒 易揚波 夏小娟 徐申 陸生禮 時龍興，“高壓P型金屬氧化物半導體管”，實用新型，申請?zhí)枺?00620077465.8
[7]孫偉鋒 易揚波 李海松 陸生禮 時龍興，“高壓N型金屬氧化物半導體管”，實用新型，申請?zhí)枺?00620077466.2
[8]孫偉鋒，李海松，李杰, 易揚波，徐申，夏曉娟，時龍興，“厚柵高壓P型金屬氧化物半導體管及其制備方法”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610098372.8
[9]孫偉鋒，夏曉娟，徐申，李海松，謝亮，時龍興，“紅外焦平面讀出電路”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00710019476.x
[10]孫偉鋒，劉俠，戈喆，易楊波，陸生禮，時龍興，“溝槽高壓P型金屬氧化物半導體管”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00720035523.5
[11]孫偉鋒，吳虹，戈喆，易楊波，陸生禮，時龍興，“溝槽高壓N型金屬氧化物半導體管”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00710021129.0
[12]孫偉鋒，夏曉娟，徐申，李海松，時龍興，“CMOS基準電壓源”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610161587.x
[13]孫偉鋒，夏曉娟，謝亮，時龍興, “CMOS基準源電路”, 發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610161588.4
[14]易揚波，孫偉鋒，李海松，李杰, 徐申，夏曉娟，時龍興，“高壓功率集成電路用少子環(huán)隔離結(jié)構(gòu)”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610098371.3
[15]易揚波，徐申，李海松，孫偉鋒，夏曉娟，李杰, 時龍興，“高壓功率集成電路隔離結(jié)構(gòu)”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610098373.2
[16]夏小娟，謝亮，孫偉鋒，陸生禮，時龍興，“輸出電壓可調(diào)式CMOS基準電壓源”，發(fā)明專利，申請?zhí)枺?00610161589.9

獲獎(4項)：
[1]2003年獲第三屆“挑戰(zhàn)杯”天堂硅谷中國大學生創(chuàng)業(yè)計劃競賽金獎。
[2]碩士論文——《PDP選址驅(qū)動芯片設計》獲得2004年江蘇省優(yōu)秀碩士論文。
[3]PDP列驅(qū)動芯片獲得2004年國家重點新產(chǎn)品證書。
[4]指導研究生取得第二屆“安捷倫”杯論文比賽特等獎。

已開課程：
集成電路制造基礎

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