附件5：

 2021 年碩士研究生入學(xué)考試自命題科目

考試大綱

考試階段：復(fù)試 科目滿分值：100

考試科目：微電子技術(shù)基礎(chǔ) 科目代碼：

考試方式：閉卷筆試 考試時(shí)長：180分鐘

一、科目的總體要求

《微電子技術(shù)基礎(chǔ)》主要由半導(dǎo)體器件物理和集成電路工藝兩部分內(nèi)容構(gòu)成，本科目主要考察學(xué)生對《微電子技術(shù)基礎(chǔ)》基本概念、基本方法、基本理論的掌握，要求能解釋、分析并解決相關(guān)問題。

二、考核內(nèi)容與考核要求

1、半導(dǎo)體能帶基礎(chǔ)及導(dǎo)電性

（1）能帶的形成（了解）；

（2）半導(dǎo)體中的載流子（掌握）；

（3）三維無限晶體的能帶（理解）；

（4）平衡載流子濃度（掌握）；

（5）載流子的漂移、遷移率（理解）。

2、PN結(jié)

（1）平衡PN結(jié)能帶及參數(shù)（掌握）

（2）正偏、反偏PN結(jié)（理解）

3、雙極型晶體管

（1）晶體管工作原理（理解）；

（2）雙極型晶體管靜態(tài)特性（理解）；

4、MOSFET器件

（1）理想MOS結(jié)構(gòu)（理解）

（2）MOSFET基礎(chǔ)（理解）

5、硅片工藝

（1）多晶硅制備（了解）；

（2）單晶硅生長原理及直拉法，晶體摻雜：（掌握）；

（3）切片工藝（理解）。

6、薄膜淀積

（1）化學(xué)氣相淀積原理（理解）；

（2）化學(xué)氣相淀積工藝方法：常壓，低壓和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（理解）；

（3）真空蒸鍍工藝原理及蒸鍍工藝（掌握）；

（4）濺射工藝原理及直流，射頻和磁控濺射工藝（掌握）。

7、光刻與刻蝕

（1）基本光刻工藝流程（掌握）；

（2）光刻膠與曝光技術(shù)（理解）；

（3）濕法刻蝕與干法刻蝕（理解）；

（4）刻蝕技術(shù)進(jìn)展（了解）；

8、雜質(zhì)摻雜

（1）硅的熱氧化工藝與機(jī)理（掌握）；

（2）硅的Deal-Grove熱氧化模型（了解）；

（3）熱氧化生長速率與影響因素（理解）；

（4）擴(kuò)散機(jī)制與擴(kuò)散工藝條件及方法（理解）；

（5）離子注入原理與工藝流程（掌握）；

三、題型結(jié)構(gòu)

考試包含多種題型：名詞解釋、簡答題、計(jì)算題。

四、其它要求

可攜帶計(jì)算器。

 

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