北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩導(dǎo)-邢艷輝

發(fā)布時(shí)間:2021-11-03 編輯:考研派小莉 推薦訪問(wèn):
北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩導(dǎo)-邢艷輝

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北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩導(dǎo)-邢艷輝 正文

  一、基本情況


  邢艷輝, 2001年畢業(yè)于長(zhǎng)春理工大學(xué)光學(xué)工程專業(yè),獲碩士學(xué)位,同年到在北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院從事教學(xué)與科研工作,2008獲北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。2007年獲得“北京工業(yè)大學(xué)德育教育先進(jìn)個(gè)人”,2009年獲得“北京工業(yè)大學(xué)就業(yè)工作先進(jìn)個(gè)人”。


  二、科研工作


  主要從事GaAs,GaN,InP,GeSi等半導(dǎo)體材料的光電特性測(cè)試分析工作,近年來(lái)主要利用高精度X射線雙晶衍射(XRD)、光致發(fā)光(PL)、原子力顯微鏡(AFM)等測(cè)試儀器研究GaN材料特性及LED器件制備工作。工作期間作為骨干成員參加了包括國(guó)家自然科學(xué)基金、863、北京市自然科學(xué)基金、北京市教委等課題的研究。目前作為負(fù)責(zé)人主持北京市自然科學(xué)基金項(xiàng)目“MOCVD生長(zhǎng)非極性a面GaN材料光電特性研究”的研究工作。


  三、教學(xué)工作


  主講本科生課程:《熱力學(xué)與統(tǒng)計(jì)物理》

  
  四、論文


  在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物發(fā)表論文30余篇,其中SCI、EI收錄32篇,代表性論文:


  1.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD,Applied Surface Science 2009 255 (3) :6121 -6124


  2. Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun, et al, Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.  Vaccum  2007,82(9):1-4


  3.邢艷輝,鄧軍,李建軍等,引入n型 InGaN/GaN超晶格層提高量子阱特性研究 物理學(xué)報(bào) 2009 58(1):590-595              

 
  4. 邢艷輝,劉建平,鄧軍等,壘摻In提高InGaN/GaN多量子阱發(fā)光特性 物理學(xué)報(bào) 2007,56(12):7295-7298


  5.邢艷輝,韓軍,鄧軍等,淀積在不同小傾角藍(lán)寶石襯底的n型GaN的研究 物理學(xué)報(bào) 2009 58(4):2644-2648


  6.邢艷輝, 鄧軍, 徐晨等,p型GaN低溫粗化提高發(fā)光二極管特性 物理學(xué)報(bào) 2010 59(2):1233-1236


  五、聯(lián)系方式
  辦公電話:010-67392503-814, 010-67392924-814


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